專利名稱：X射線ct裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及具備X射線檢測器和數據收集裝置(DAS :data acquisition system)、對構成X射線檢測器的PDA (photodiode array 光電二極管陣列)的溫度進行控制的X射線CT裝置。
背景技術：
X射線CT裝置具備隔著被檢體而對置配置的X射線源和X射線檢測器。X射線檢測器沿著與體軸方向即頂板的長度方向正交的方向(通道方向)具備多道(M道)檢測元件。X射線檢測器能夠使用多種類型，而X射線CT裝置中通常使用能夠實現小型化的閃爍檢測器。閃爍檢測器的各檢測元件具備閃爍器和PDA等光傳感器。閃爍器吸收在前級被準直后的X射線，通過該吸收產生熒光。PDA通過光傳感器將熒光變換為電信號并輸出給數據收集裝置(DAS :data acquisition system) 0即，根據X射線CT裝置，能夠從X射線源對被檢體的某個截面(以下稱為切片面)以扇狀照射X射線束，而按照X射線檢測器的每個檢測元件將從被檢體的某個切片面透射的X射線束變換為電信號來收集透射數據。此外，與上述單層面X射線CT裝置相比，多層面X射線CT裝置在X射線檢測器中除M道檢測元件之外，還沿著被檢體的體軸方向具備多列(N列)檢測元件。多層面X射線 CT裝置的X射線檢測器構成為整體上具有M道XN列的檢測元件的X射線CT用二維檢測
ο圖11是表示以往的X射線CT裝置中的X射線檢測器和DAS周邊的結構的概略的側視圖。圖11示出了以往的X射線CT裝置中的X射線檢測器(閃爍檢測器)61、DAS62、配置于X射線檢測器61與DAS62之間的熱屏蔽體63和加熱器64、以及配置于X射線檢測器 61和DAS62的周邊的冷卻扇65a、65b。如圖11所示，X射線檢測器61具備準直儀(與N 列相對應的N個準直儀)71，對透射被檢體的X射線進行準直；以及檢測元件(與N列相對應的N個檢測元件)72，在準直儀71的后級基于X射線產生電信號。檢測元件72具有閃爍器(N個閃爍器)81和PDA (N個PDA) 82。DAS62配置于PDA82的后級，將PDA82的電信號變換為電壓信號并放大。構成X射線檢測器61的準直儀71和檢測元件72構成為一體，為了將檢測元件72 的PDA82的溫度保持為恒定，而將準直儀71和檢測元件72隔著熱屏蔽體63與溫度變化較劇烈的DAS62熱屏蔽。或者，準直儀71和檢測元件72構成為一體，為了將PDA82的溫度保持為恒定，而將準直儀71和檢測元件72收容于作為熱屏蔽體63的殼體中。而且，通過約 100 約150W的加熱器64對不受DAS62的溫度變化影響的PDA82進行加熱，并且通過冷卻扇6 對PDA82進行冷卻，從而進行PDA82的溫度控制。通過加熱器64和冷卻扇65a，例如在比室溫高的40士 1°C的范圍內對PDA82進行溫度控制。通過對PDA82進行溫度控制，能夠維持CT圖像的畫質。另一方面，有時DAS62因發熱而基板溫度達到約60 約90°C，從而導致DAS62的誤動作。為防止DAS62過度升溫，在DAS62的基板上安裝用于冷卻DAS62的冷卻扇65b。這樣，成為DAS62不過度升溫的構造。如上所述，為了對X射線檢測器61進行溫度控制，一邊使用熱屏蔽體63來屏蔽 DAS62的排熱一邊在PDA82側具備進行加熱的設備，而另一方面，在DAS62側具備進行冷卻的設備。 根據以往的X射線CT裝置，為了對X射線檢測器的PDA進行溫度控制，一邊使用熱屏蔽體將PDA從DAS的排熱屏蔽開一邊進行加熱，而另一方面在進行冷卻，這產生了電力的浪費。此外，近年來，隨著DAS高集成化而小型化，從提高性能的觀點出發需要使X射線檢測器和DAS接近地設置。極端地能夠想到使X射線檢測器和DAS —體化的情況。但是， 在以往的X射線CT裝置中若不設置熱屏蔽體，則DAS的排熱會直接影響PDA的溫度，難以實現PDA的恒溫化。因此，在以往的X射線CT裝置中由于需要設置熱屏蔽體，所以難以實現X射線檢測器和DAS的一體化。此外，在以往的X射線CT裝置中若不設置加熱器，則無法期望PDA的高溫化。因此，由于在以往的X射線CT裝置中需要設置加熱器，所以難以實現X射線檢測器和DAS的一體化。除此之外，若在X射線檢測器附近設置加熱器，也會存在加熱器成為噪聲源這一弊病。

發明內容
本實施方式的X射線CT裝置為解決上述問題，具備X射線源，產生X射線；閃爍器，基于上述X射線發出熒光；基板，形成有多個將上述熒光變換為電信號的光電二極管的受光元件；溫度傳感器，形成于上述基板表面；熱源元件，形成于上述基板表面；以及控制部，基于上述溫度傳感器檢測出的溫度來調整上述熱源元件的電流，由此控制上述光電二極管的溫度。


在附圖中圖1是表示本實施方式的X射線CT裝置的硬件結構圖；圖2是表示本實施方式的X射線CT裝置中的X射線檢測器和DAS周邊的結構的概略的側視圖；圖3是用于說明本實施方式的X射線CT裝置中的PDA的溫度傳感器和熱源元件的圖；圖4是表示本實施方式的X射線CT裝置中的PDA的結構的第一例的PDA的俯視圖；圖5是表示本實施方式的X射線CT裝置中的PDA的結構的第二例的PDA的俯視圖；圖6是表示本實施方式的X射線CT裝置中的溝道的結構的俯視圖；圖7是沿著圖6的A-A線的放大剖視圖；圖8是用于說明本實施方式的X射線CT裝置中的溝道的制造方法的一例的圖；圖9是表示用于說明本實施方式的X射線CT裝置的動作的時序圖的一例的圖；圖10是表示本實施方式的X射線CT裝置的動作的流程圖；圖11是表示以往的X射線CT裝置中的X射線檢測器和DAS周邊的結構的概略的側視圖。
具體實施例方式參照

本實施方式的X射線CT裝置。本實施方式的X射線CT裝置有旋轉/旋轉(ROTATE/ROTATE)類型、固定/旋轉 (STATIONARY/ROTATE)類型等多種類型，任何類型都可以適用于本發明，所述旋轉/旋轉類型是X射線管和X射線檢測器作為一體在被檢體的周圍旋轉的類型，所述固定/旋轉類型是大量檢測元件以環狀陣列排列，只有X射線管在被檢體的周圍旋轉的類型。在此，說明目前占主流的旋轉/旋轉類型。此外，將入射X射線變換為電荷的機構以間接變換型和直接變換型為主流，間接變換型通過閃爍器等熒光體將X射線變換為光，進而通過光電二極管等光電變換元件將該光變換為電荷；直接變換型利用了由X射線引起的半導體內的電子空穴對的生成及該電子空穴對向電極的移動，即利用了光導電現象。另外，近年來，將多對X射線管和X射線檢測器搭載于旋轉環的所謂多管球型X射線CT裝置的產品化在不斷推進，其周邊技術的開發也在進步。本實施方式的X射線CT裝置，無論是以往的單管球型X射線CT裝置還是多管球型X射線CT裝置都能夠適用。在此， 作為單管球型X射線CT裝置進行說明。圖1是表示本實施方式的X射線CT裝置的硬件結構圖。圖1示出了本實施方式的X射線CT裝置1。X射線CT裝置1大體包括掃描器裝置 11和圖像處理裝置12。X射線CT裝置1的掃描器裝置11通常設置于檢查室內，構成為用于生成與被檢體(人體)0的攝像部位相關的X射線的透射數據。另一方面，圖像處理裝置 12通常設置于與檢查室相鄰的控制室內，構成為用于基于透射數據生成投影數據并進行重構圖像的生成和顯示。X射線CT裝置1的掃描器裝置11設置有作為X射線源的X射線管21、X射線檢測器(閃爍檢測器)22、光圈23、DAS (data acquisition system) M、旋轉部25、控制器沈、高壓電源27、光圈驅動裝置觀、旋轉驅動裝置四、頂板30、及頂板驅動裝置(診視床裝置)31。X射線管21與從高壓電源27供給的管電壓相對應地朝向X射線檢測器22照射X 射線。通過從X射線管21照射的X射線，形成冷卻扇形束X射線或錐形束X射線。X射線檢測器22是一維陣列型X射線檢測器，在與體軸方向即頂板的長度方向正交的方向(通道方向)上具有多(M)道檢測元件，在切片方向(列方向)上具有1列檢測元件。或者是，X射線檢測器22是二維陣列型X射線檢測器22 (也稱為多層面型檢測器)，具有矩陣狀即M道、切片方向上的多(N)列的檢測元件。X射線檢測器22檢測從X射線管 21照射并透射被檢體0的X射線。光圈23通過光圈驅動裝置28來調整從X射線管21照射的X射線在切片方向上的照射范圍。即，通過光圈驅動裝置觀調整光圈23的開口，從而能夠變更切片方向的X射線照射范圍。DAS24將X射線檢測器22的各檢測元件檢測到的透射數據的電信號變換為電壓信號并放大，進而變換為數字信號。DASM的輸出數據經由控制器沈供給到圖像處理裝置 12。旋轉部25收容于掃描器裝置11的架臺(未圖示)，將X射線管21、X射線檢測器 22、光圈23及DASM保持為一體。旋轉部25構成為在X射線管21和X射線檢測器22對置的狀態下，使X射線管21、X射線檢測器22、光圈23及DASM作為一體繞著被檢體0旋轉。控制器洸具有CPU (central processing unit)和存儲器。控制器洸基于被從圖像處理裝置12輸入的控制信號，進行X射線檢測器22、DAS24、高壓電源27、光圈驅動裝置觀、旋轉驅動裝置29、以及頂板驅動裝置31等的控制，執行掃描。高壓電源27通過控制器沈的控制，對X射線管21供給X射線的照射所需的電力。光圈驅動裝置28通過控制器沈的控制，調整光圈23的X射線在切片方向上的照射范圍。旋轉驅動裝置四通過控制器沈的控制，使旋轉部25以旋轉部25在維持其位置關系的狀態下繞著空洞部旋轉的方式進行旋轉。頂板30能夠載置被檢體0。頂板驅動裝置31通過控制器沈的控制，使頂板30沿著ζ軸方向移動。旋轉部25 的中央部分具有開口，供載置于該開口部的頂板30的被檢體0插入。X射線CT裝置1的圖像處理裝置12以計算機為基礎而構成，能夠與醫院中心的 LANdocal area network 局域網)等網絡N進行相互通信。圖像處理裝置12雖未圖示， 具有CPU、存儲器、HDD (hard disc drive 硬盤驅動器)、輸入裝置、以及顯示裝置等基本硬件。圖像處理裝置12對從掃描器裝置11的DASM輸入的原始數據進行對數變換處理或靈敏度校正等校正處理(前處理)，從而生成投影數據。此外，圖像處理裝置12對進行了前處理的投影數據進行散射線的除去處理。圖像處理裝置12用于基于X射線照射范圍內的投影數據的值進行散射線的除去，將根據成為進行散射線校正的對象的投影數據或者其相鄰投影數據的值的大小推測出的散射線，從成為對象的投影數據中減去，從而進行散射線校正。圖像處理裝置12基于校正后的投影數據生成重構圖像。圖2是表示本實施方式的X射線CT裝置中的X射線檢測器22和DASM周邊的結構的概略的側視圖。圖2示出了 X射線檢測器22、DAS24、以及配置于X射線檢測器22和DAS24的周邊的冷卻扇35。X射線檢測器22具備準直儀(與N列相對應的N個準直儀)41，對透射被檢體0的X射線進行準直；以及檢測元件(與N列相對應的N個檢測元件)42，在準直儀 41的后級基于X射線產生電信號。檢測元件42具有基于X射線發出熒光的閃爍器(N個閃爍器)51和將熒光變換為電信號的PDA (N個PDA) 52。另外，圖2示出了例如與8 (N = 8) 列相對應的8個準直儀41、與8列相對應的8個閃爍器51、與8列相對應的8個PDA52。在PDA52的后級，DAS24以X射線檢測器22的輸入面與DAS24的輸入面對置的方式與X射線檢測器22 —體配置。另外，雖然未圖示，也可以將DASM配置在X射線檢測器 22的附近。DASM將來自PDA52的電信號變換為電壓信號并放大，進而變換為數字信號。冷卻扇35安裝在DASM的基板(未圖示)上，以對DAS24(及X射線檢測器22) 進行冷卻。圖3是用于說明本實施方式的X射線CT裝置1中的PDA52的溫度傳感器和熱源元件的圖。如圖3所示，PDA52在基板上具備受光元件(N個受光元件)52a、溫度傳感器52b、 以及熱源元件(N個熱源元件)52c。以半導體工藝制造的溫度傳感器52b埋設于PDA52。例如，溫度傳感器 52b 是以 CMOS (complementary metal oxide semiconductor :互補型金屬氧化物半導體)工藝制造的CMOS溫度傳感器電路。此外，以半導體工藝制造的熱源元件52c 埋設于PDA52。控制器沈反復接收從PDA52的溫度傳感器52b發送來的溫度信息信號。然后，控制器沈基于接收到的溫度信息信號，調整PDA52的熱源元件52c的電流，從而控制PDA52 的溫度。此外，控制器沈經由DASM接收來自PDA52的受光元件52a的透射數據。在此，控制器沈通過反饋控制，進行PDA52的溫度控制。控制器沈在要使PDA52 的溫度上升的情況下，調整流過熱源元件52c的電流。另一方面，控制器沈在要使PDA52 的溫度下降的情況下，調整流過熱源元件52c的電流和冷卻扇35的風量之中的至少一個。 這樣，通過流過熱源元件52c的電流的調整和冷卻扇35的風量調整，例如在比室溫高的約 40士 1°C的范圍內對檢測元件42的PDA52進行溫度控制。通過對PDA52進行溫度控制，能夠維持由圖像處理裝置12生成的CT圖像的畫質。圖4是表示本實施方式的X射線CT裝置1中的PDA52的結構的第一例的PDA52 的俯視圖。如圖4所示，以N列XM道排列的PDA52具備與以N列XM道排列的受光元件52a、 溫度傳感器52b、以及與N列XM道的受光元件5 分別對應的數量的熱源元件52c。在圖4示出的例子中，PDA52的熱源元件52c是電阻元件R。另外，在圖4中，圖示了具備與 N列XM道的受光元件5 相對應的數量的電阻元件R，但是電阻元件R的數量不限定于N 歹丨J XM道。由此，在圖4所示的PDA52的結構中，控制器沈通過調整流過作為熱源元件52c 的NXM個電阻元件R的電流，能夠調整電阻元件R的發熱量。圖5是表示本實施方式的X射線CT裝置1中的PDA52的結構的第二例的PDA52 的俯視圖。如圖5所示，以N列XM道排列的PDA52具備與以N列XM道排列的受光元件52a、 溫度傳感器52b、以及與N列XM道的受光元件5 分別對應的數量的熱源元件52c。在圖 5所示的例中，PDA52的熱源元件52c是單極型晶體管例如MOSFET(metal-oxide-semicon ductor field-effect transistor 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)。另外，在圖5 中，圖示了具備與N列XM道的受光元件5 相對應的數量的MOSFET，但是MOSFET的數量不限定于N列XM道。MOSFET是由電位(正電源)Vdd的漏極(D)、電位(負電源)Vss的源極⑶以及柵極(G)構成的3端子器件。MOSFET有時由成為雙柵極的4電極構成。另外，熱源元件52c 不限定于單極型，也可以是未圖示的雙極型。雙極型晶體管是由基極(B)、發射極(E)和集電極(C)構成的3端子器件。雙極型晶體管通過在基極和發射極之間流過電流，能夠控制集電極和發射極之間的電流。在圖5所示的PDA52的結構中，通過對MOSFET的柵極施加電壓，能夠控制源極和漏極之間的電流。由此，在如圖5所示的PDA52的結構中，控制器沈通過調整對作為熱源元件52c的NXM個MOSFET的柵極施加的電壓，能夠調整MOSFET的發熱量。圖6是表示本實施方式的X射線CT裝置1中的溝道53的結構的俯視圖，圖7是沿著圖6的A-A線的放大剖視圖。在本實施方式的X射線裝置中，也可以在受光元件5 和熱源元件52c之間設置溝道(trench) 53。溝道53例如由氧化硅(SiO2)形成。圖8是用于說明本實施方式的X射線CT裝置1中的溝道53的制造方法的一例的圖。本實施方式的溝道53例如可以通過以下的方法形成。首先，在氧化爐中以約1000°C對硅基板進行加熱，使該硅基板和氧氣(O2)發生反應。由此，在基板上形成氧化膜(SiO2)。然后，通過CVD (Chemical Vapor D印osition 化學汽相淀積)法在氧化膜(SiO2)上形成氮化膜(SiN)(步驟ST I)。接著，通過光刻工藝(Photolithography Process)除去溝道53形成區域(α )和元件形成區域(β)的氧化膜和氮化膜(步驟ST II)。接著，通過干刻法(dry etching)在硅基板上的溝道53形成區域(α)上形成淺溝道 53 (shallow trench)(步驟 STIII)。然后，通過CVD法在硅基板上成膜出氧化膜(SiO2)(步驟STIV)。最后，通過CMP(Chemical Mechanical Polishing 化學機械拋光)來對表面進行研磨，從而除去氧化膜和氮化膜，獲得作為元件分離區域的溝道53和元件形成區域(β ) (步驟ST V)。另外，在形成有溝道53的情況下，能夠將受光元件5 和熱源元件52c形成在通過上述方法得到的元件形成區域(β)。 通過設置該溝道53，能夠對受光元件5 和熱源元件52c進行元件分離，所以能夠防止在熱源元件52c產生的熱噪聲(Johnson noise)對來自受光元件5 的圖像用信號產生影響。圖9是表示用于說明本實施方式的X射線CT裝置的動作的時序圖的一例的圖。如圖9所示，X射線CT裝置1在開始向頂板30載置被檢體01之后進行2次掃描 (例如常規掃描(conventional scan)),結束被檢體01的載置。接著，X射線CT裝置1在開始向頂板30載置被檢體02之后進行1次掃描(例如螺旋掃描(helical scan))，結束被檢體02的載置。X射線CT裝置1在被檢體02的掃描后，結束動作。在圖9所示的溫度非控制期間t，控制器沈不控制PDA52的溫度，也不執行掃描， 所以X射線CT裝置1所在的房間的室溫成為主要的外部干擾，PDA52的溫度變為室溫。除了溫度非控制期間t之外是溫度控制期間T。在溫度控制期間T即掃描以外的期間(掃描待機期間)T1，X射線CT裝置1所在的房間的室溫成為主要的外部干擾，PDA52 的溫度變為室溫。因而，在掃描以外的期間Tl，控制器的合理溫度為目標值，以 PDA52的熱源元件52c的電流為操作變量，由此對溫度傳感器52b反復檢測出的作為控制對象的PDA52的溫度進行反饋控制。例如，控制器沈對PDA52的溫度進行PID (比例-積分-微分)控制。另一方面，在溫度控制期間T即掃描期間T2，DAS24的排熱成為主要的外部干擾， PDA52的溫度上升。在掃描期間T2，控制器沈以PDA52的合理溫度為目標值，以PDA52的熱源元件52c的電流和冷卻扇35的風量之中的至少一個為操作變量，由此對溫度傳感器52b 反復檢測出的作為控制對象的PDA52的溫度進行反饋控制。例如，控制器沈對PDA52的溫度進行PID控制。接著，使用圖10所示的流程圖說明本實施方式的X射線CT裝置1的動作。首先，X射線CT裝置1的控制器沈將檢測元件42的PDA52的合理溫度設定為目標值(步驟STl)。若操作者經由圖像處理裝置12的輸入裝置(未圖示)輸入例如40士 1°C 的范圍，則控制器沈將40士 1°C的范圍設定為目標值。接著，通過操作者經由圖像處理裝置12的輸入裝置(未圖示)的輸入，控制器沈開始PDA52的溫度的控制(步驟ST2)。若通過步驟ST2開始PDA52的溫度控制，則X射線 CT裝置1成為掃描的待機狀態。即，若使用圖9來說明，則X射線CT裝置1從溫度非控制期間t遷移到溫度控制期間T的掃描以外的期間Tl。在掃描以外的期間Tl，控制器沈將通過步驟STl設定的合理溫度作為目標值，基于由溫度傳感器5 反復檢測出的PDA52的溫度，調整PDA52的熱源元件52c的電流、即熱源元件52c的發熱量，由此控制PDA52的溫度(步驟SB)。例如，在步驟ST3中，將熱源元件52c的電流作為操作變量，對PDA52的溫度進行PID控制。接著，若接收到掃描開始的指示，則控制器沈判斷由溫度傳感器52b檢測出的 PDA52的溫度是否為通過步驟STl設定的目標值(步驟ST4)。在步驟ST4的判斷中，在判斷為“是”、即判斷為由溫度傳感器52b檢測出的PDA52的溫度是通過步驟STl設定的目標值的情況下，控制器26執行掃描(步驟ST5)。即，若使用圖9來說明，則X射線CT裝置1 從掃描外期間Tl遷移到掃描期間T2。在掃描期間T2，控制器沈將通過步驟STl設定的合理溫度作為目標值，基于由溫度傳感器52b反復檢測出的PDA52的溫度，調整熱源元件52c的電流和冷卻扇35的風量之中的至少一個，由此控制PDA52的溫度(步驟ST6)。例如，在步驟ST6中，將熱源元件52c 的電流和冷卻扇35風量之中的至少一個作為操作變量，來對PDA52的溫度進行PID控制。另一方面，在步驟ST4的判斷中，在判斷為“否”，即判斷為由溫度傳感器52b檢測出的PDA52的溫度不是通過步驟STl設定的目標值的情況下，控制器沈控制PDA52的溫度， 直至PDA52的溫度到達通過步驟STl設定的目標值為止(步驟ST3)。控制器沈判斷是否結束PDA52的溫度控制(步驟ST7)。在步驟ST7的判斷中，在判斷為“是”、即判斷為結束檢測元件42的PDA52的溫度控制的情況下，控制器沈結束動作 (步驟ST8)。即，若使用圖9來說明，則X射線CT裝置1從掃描期間T2遷移到溫度非控制期間t。例如，在結束了該日應進行的全部掃描的情況下，若操作者經由圖像處理裝置12的輸入裝置(未圖示)輸入結束指示，則控制器沈判斷為結束PDA52的溫度控制。
另一方面，在步驟ST7的判斷中，在判斷為“否”、即判斷為不結束檢測元件42的 PDA52的溫度控制的情況下，即在判斷為繼續進行掃描的情況下，控制器沈控制PDA52的溫度(步驟ST3)。即，若使用圖9來說明，則X射線CT裝置1從掃描期間T2遷移到掃描以外的期間Tl。根據本實施方式的X射線CT裝置1，能夠通過簡單的結構容易地進行PDA52的溫度控制，從而提高CT圖像的畫質，特別在X射線檢測器22和DASM接近或一體化的情況下也能夠進行溫度控制。以上說明了本發明的幾個實施方式，這些實施方式只是作為例子進行提示，并不意欲限定發明的范圍。這些新穎的實施方式也能夠采用其他各種方式實施，在不脫離發明的主旨的范圍內能夠進行各種省略、替換、變更。這些實施方式及其變形包含在發明的范圍和主旨內，并且也包含在權利要求書中記載的發明及其等同的范圍內。
權利要求
1.一種X射線CT裝置，其特征在于，具備 X射線源，產生X射線；閃爍器，基于上述X射線發出熒光；基板，形成有多個將上述熒光變換為電信號的光電二極管的受光元件； 溫度傳感器，形成于上述基板表面； 熱源元件，形成于上述基板表面；以及控制部，基于上述溫度傳感器檢測出的溫度來調整上述熱源元件的電流，由此控制上述光電二極管的溫度。
2.如權利要求1所述的X射線CT裝置，其特征在于， 上述基板具備溝道。
3.如權利要求2所述的X射線CT裝置，其特征在于， 上述溝道形成于上述溫度傳感器與上述熱源元件之間。
4.如權利要求1 3中任一項所述的X射線CT裝置，其特征在于， 還具備冷卻扇，上述控制部在掃描時，通過調整上述冷卻扇的風量來控制上述光電二極管的溫度。
5.如權利要求1 4中任一項所述的X射線CT裝置，其特征在于，上述控制部設定上述光電二極管的溫度的目標值，在非掃描時，控制上述光電二極管的溫度，以使上述光電二極管的溫度成為上述目標值。
6.如權利要求1 5中任一項所述的X射線CT裝置，其特征在于，上述溫度傳感器和上述熱源元件以半導體工藝制造，埋設于上述光電二極管中。
7.如權利要求6所述的X射線CT裝置，其特征在于， 將上述熱源元件設為電阻元件。
8.如權利要求6所述的X射線CT裝置，其特征在于， 將上述熱源元件設為單極型晶體管。
9.如權利要求8所述的X射線CT裝置，其特征在于，將上述熱源元件設為金屬-氧化物-半導體場效應晶體管即M0SFET。
10.如權利要求6所述的X射線CT裝置，其特征在于， 將上述熱源元件設為雙極型晶體管。
全文摘要
本發明提供一種X射線CT裝置，能夠通過簡單的結構容易地進行PDA的溫度控制，從而提高CT圖像的畫質，尤其是在X射線檢測器和DAS接近或一體化的情況下也能夠進行溫度控制。該X射線CT裝置具備X射線源，產生X射線；閃爍器，基于上述X射線發出熒光；基板，形成有多個將上述熒光變換為電信號的光電二極管的受光元件；溫度傳感器，形成于上述基板表面；熱源元件，形成于上述基板表面；以及控制部，基于上述溫度傳感器檢測出的溫度來調整上述熱源元件的電流，由此控制上述光電二極管的溫度。
文檔編號A61B6/03GK102283668SQ20111016749
公開日2011年12月21日 申請日期2011年6月21日 優先權日2010年6月21日
發明者中山道人, 佐鄉朋英, 宮城武史, 山崎敬之, 橋本篤 申請人:東芝醫療系統株式會社, 株式會社東芝